%0 Journal Article
%T MOCVD过程中回流现象的数值模拟
%A 张佳文
%A 高鸿楷
%A 张济康
%A 杨永
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 在金属有机物化学汽相淀积过程中，反应器中的回流现象严重影响生长层的界面陡峭性．本文从关于ＭＯＣＶＤ的流体力学基本方程出发，用二维有限差分和流函数涡量法求解方程，取得了不同条件下气流场的流谱．计算结果表明，减小反应器坛强、增加运载气体流量等方法可以消除回流．本文所用的流函数－涡量法具有简单、明了，运算速度快等优点．
%K 半导体材料
%K MOCVD
%K 回流
%K 数值模拟
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F542F734EAE4CA2E&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=E158A972A605785F&sid=DC330B09A33F1455&eid=4E6F5C60B72D9B1C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=1