考虑碰撞电离下的亚微米MOSFET的二维数值模拟和分析

本文讨论了准确模拟亚微米MOSFET碰撞电离所用的模型和算法。碰撞电离项被自洽地加到器件模拟程序PISCES中,用这个程序,我们计算了PN结击穿电压和0.75μm MOS-FET不同偏压下的衬底电流,结果和实验符合。