%0 Journal Article
%T 考虑碰撞电离下的亚微米MOSFET的二维数值模拟和分析
%A 张锡盛
%A 何新平
%A 李志坚
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 本文讨论了准确模拟亚微米MOSFET碰撞电离所用的模型和算法。碰撞电离项被自洽地加到器件模拟程序PISCES中,用这个程序,我们计算了PN结击穿电压和0.75μm MOS-FET不同偏压下的衬底电流,结果和实验符合。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=97A545F1B8D182C6&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=94C357A881DFC066&sid=8BB50A069C48D50B&eid=D0182A31A5EB14BA&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0