GaAs对称定向耦合光开关的研究

本文报道了GaAs对称定向耦合光开关的研制,分析了器件的工作原理和影响串音度的因素。首次实现了电极自对准工艺,减小了电极的套刻误差。在λ=1.15μm下测试器件开关特性,得到了小于—26dB的串音度和13~v的开关电压。用小信号测量法测得器件带宽大于1GHz。这种开关将在GaAs开关列阵中得到应用。