AlGaAs混晶中Te施主能级

用低温光致发光光谱,暗条件及光照条件下的深能级瞬态谱方法,对组分范围为x=0.23-0.77的掺Te的AlGaAs混晶的杂质能级进行了研究.结果表明,Te杂质形成包括多个施主能级的复杂能级结构.本文对实验结果作了讨论.