%0 Journal Article
%T AlGaAs混晶中Te施主能级
%A 康俊勇
%A 黄启圣
%A 林虹
%A 陈朝
%A 唐文国
%A 李自元
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 用低温光致发光光谱,暗条件及光照条件下的深能级瞬态谱方法,对组分范围为x=0.23-0.77的掺Te的AlGaAs混晶的杂质能级进行了研究.结果表明,Te杂质形成包括多个施主能级的复杂能级结构.本文对实验结果作了讨论.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FA32E7320A9B5559&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=B31275AF3241DB2D&sid=170CE8B011EA4FD9&eid=2E01F39B6CBD53DE&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0