|
|
半导体学报 2003
Principle and Analysis of Novel Gate-Induced Noise in Pixel MOSFET of CMOS Imagers
|
Abstract:
提出一种CMOS图像传感器像素中MOSFET晶体管的栅感应噪声原理.分析表明MOSFET工作于强反型区的栅感应噪声比工作于亚阈值区明显,但当施加在栅极电压达到3V时,随着ω/ωT 比值的增加,MOSFET工作于亚阈值区的栅感应噪声比工作于强反型区明显.同时详细分析了有源像素(APS)中的RESET晶体管的栅感应噪声的影响并提出抑制栅感应噪声的电路
