%0 Journal Article
%T Principle and Analysis of Novel Gate-Induced Noise in Pixel MOSFET of CMOS Imagers<br>图像传感器像素中MOSFET晶体管的栅感应噪声原理及分析(英文)
%A Jin Xiangliang
%A Chen Jie
%A Qiu Yulin
%A <br>金湘亮
%A 陈杰
%A 仇玉林
%J 半导体学报
%D 2003
%I 
%X 提出一种CMOS图像传感器像素中MOSFET晶体管的栅感应噪声原理.分析表明MOSFET工作于强反型区的栅感应噪声比工作于亚阈值区明显,但当施加在栅极电压达到3V时,随着ω/ωT 比值的增加,MOSFET工作于亚阈值区的栅感应噪声比工作于强反型区明显.同时详细分析了有源像素(APS)中的RESET晶体管的栅感应噪声的影响并提出抑制栅感应噪声的电路
%K gate-induced noise
%K pixel MOSFET
%K improved photodiode APS
%K CMOS imagers<br>栅感应噪声
%K 像素MOSFET
%K 改进的APS
%K CMOS图像传感器
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=DA88A4D85A2A7F44&yid=D43C4A19B2EE3C0A&vid=B91E8C6D6FE990DB&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=9BA5B7BDD4CE0596&eid=BD0BCC5CD284A664&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=10