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半导体学报 2005
Analysis of Local Electro-Thermal Effects of LDMOS Power Devices
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Abstract:
分析了LDMOS (lateral DMOS）在一次雪崩击穿后的局部电热效应. 提出并证明了等温分析和电热分析分别得到的LDMOS的触发点是不同的；分析了局部晶格温度在空间上的分布特点;并提出晶格温度弛豫时间会影响漏极电压弛豫时间.从而证明LDMOS工作于ESD (electro-static discharge）保护的大电流区时，电热分析比等温分析的模拟结果与实验结果符合得更好.
