%0 Journal Article
%T Analysis of Local Electro-Thermal Effects of LDMOS Power Devices<br>LDMOS的局部电热效应分析
%A Li Meizhi
%A Wei Guangping
%A Chen Xingbi
%A <br>李梅芝
%A 韦光萍
%A 陈星弼
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 分析了LDMOS (lateral DMOS）在一次雪崩击穿后的局部电热效应. 提出并证明了等温分析和电热分析分别得到的LDMOS的触发点是不同的；分析了局部晶格温度在空间上的分布特点;并提出晶格温度弛豫时间会影响漏极电压弛豫时间.从而证明LDMOS工作于ESD (electro-static discharge）保护的大电流区时，电热分析比等温分析的模拟结果与实验结果符合得更好.
%K isothermal
%K non-isothermal
%K trigger points
%K ESD
%K lattice temperature<br>等温
%K 电热
%K 触发点
%K ESD
%K 晶格温度
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=162A46D0D7074CC3&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=AE1A5CF00DFD739A&eid=A84288F223082930&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=14