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ISSN: 2333-9721
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Interface Interdiffusion Intensified by Formation of Quantum Dots
量子点的形成对Si/Ge界面互扩散的影响

Keywords: Si/Ge interface interdiffusion,quantum dot,MBE
Si/Ge界面互扩散
,量子点,分子束外延

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Abstract:

在Si(10 0 )衬底上低温生长了一层完全应变的Ge层 ,高温退火形成量子点 .我们用喇曼光谱研究了量子点形成时Si/Ge界面的互扩散现象 ,实验表明量子点的形成伴随着Si/Ge原子之间的互扩散 ,通常在Si衬底上形成的是SiGe合金量子点 ,而不是纯Ge量子点 .

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