%0 Journal Article
%T Interface Interdiffusion Intensified by Formation of Quantum Dots<br>量子点的形成对Si/Ge界面互扩散的影响
%A Zhou Xingfei
%A Shi Bin
%A Hu Dongzhi
%A Fan Yongliang
%A Gong Dawei
%A Jiang Zuimin
%A <br>周星飞
%A 施斌
%A 胡冬枝
%A 樊永良
%A 龚大卫
%A 蒋最敏
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 在Si(10 0 )衬底上低温生长了一层完全应变的Ge层 ,高温退火形成量子点 .我们用喇曼光谱研究了量子点形成时Si/Ge界面的互扩散现象 ,实验表明量子点的形成伴随着Si/Ge原子之间的互扩散 ,通常在Si衬底上形成的是SiGe合金量子点 ,而不是纯Ge量子点 .
%K Si/Ge interface interdiffusion
%K quantum dot
%K MBE<br>Si/Ge界面互扩散
%K 量子点
%K 分子束外延
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FAA22A8066073846&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=507521DBC725630F&eid=7F9B7E84827A650F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=14