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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
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Characteristic Analysis on High Power GaInP/AlGaInP Semiconductor Laser Diodes
大功率GaInP/AlGaInP半导体激光器
Xu Yun, Guo Liang, Cao Qing, Song Guofeng, Gan Qiaoqiang, Yang Guohu, Li Yuzhang, Chen Lianghui,
徐云, 郭良, 曹青, 宋国峰, 甘巧强, 杨国华, 李玉璋, 陈良惠
Keywords: semiconductor laser diodes,AlGaInP visible lasers,strained quantum well lasers
半导体激光器,AlGaInP可见光激光器,应变量子阱,大功率,AlGaInP,半导体激光器,High,Power,Analysis,Characteristic,Laser,Diodes,电流密度,内量子效率,内损耗,器件,激射波长,发散角,远场,垂直结,光输出功率,基横模,串联电阻,斜率效率,工作电流
Abstract:
制备了大功率实折射率GaInP/AlGaInP压应变分别限制量子阱激光器.所用外延材料在15°偏角的GaAs衬底上由有机金属气相外延一次外延生长得到.制备的激光器具有双沟脊波导结构,条宽和腔长分别为3和900μm,前后端面分别蒸镀5%的增透膜和95%的高反膜.分析了室温连续激射时激光器的光电输出性能.阈值电流的典型值为32mA,光学灾变阈值为88mW,功率为80mW时的工作电流为110mA,斜率效率为1W/A,串联电阻为3Ω.基横模光输出功率可达60mW,60mW时的平行结和垂直结的远场发散角分别为10°和32°,激射波长为658.4nm.器件的内损耗为4.1cm-1,内量子效率达80%,透明电流密度为648A/cm2. Full-Text
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