%0 Journal Article
%T Characteristic Analysis on High Power GaInP/AlGaInP Semiconductor Laser Diodes<br>大功率GaInP/AlGaInP半导体激光器
%A Xu Yun
%A Guo Liang
%A Cao Qing
%A Song Guofeng
%A Gan Qiaoqiang
%A Yang Guohu
%A Li Yuzhang
%A Chen Lianghui
%A <br>徐云
%A 郭良
%A 曹青
%A 宋国峰
%A 甘巧强
%A 杨国华
%A 李玉璋
%A 陈良惠
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 制备了大功率实折射率GaInP/AlGaInP压应变分别限制量子阱激光器.所用外延材料在15°偏角的GaAs衬底上由有机金属气相外延一次外延生长得到.制备的激光器具有双沟脊波导结构,条宽和腔长分别为3和900μm,前后端面分别蒸镀5%的增透膜和95%的高反膜.分析了室温连续激射时激光器的光电输出性能.阈值电流的典型值为32mA,光学灾变阈值为88mW,功率为80mW时的工作电流为110mA,斜率效率为1W/A,串联电阻为3Ω.基横模光输出功率可达60mW,60mW时的平行结和垂直结的远场发散角分别为10°和32°,激射波长为658.4nm.器件的内损耗为4.1cm-1,内量子效率达80%,透明电流密度为648A/cm2.
%K semiconductor laser diodes
%K AlGaInP visible lasers
%K strained quantum well lasers<br>半导体激光器
%K AlGaInP可见光激光器
%K 应变量子阱
%K 大功率
%K AlGaInP
%K 半导体激光器
%K High
%K Power
%K Analysis
%K Characteristic
%K Laser
%K Diodes
%K 电流密度
%K 内量子效率
%K 内损耗
%K 器件
%K 激射波长
%K 发散角
%K 远场
%K 垂直结
%K 光输出功率
%K 基横模
%K 串联电阻
%K 斜率效率
%K 工作电流
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6B55C01BEA990062&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=708DD6B15D2464E8&sid=8E5B9B3EFD94BCB3&eid=52F72B689869171D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=12