MOCVD Growth and Properties of Ga-Doped ZnO Films
Ga掺杂ZnO薄膜的MOCVD生长及其特性

利用低压MOCVD技术在(0002)蓝宝石上外延获得高质量的ZnO∶Ga单晶薄膜，并研究了Ga的不同掺杂浓度对材料电学和光学特性的影响．当Ga/Zn气相摩尔比为3.2 at%时，ZnO(0002)峰半高宽仅为0.26°，载流子浓度高达2.47e19cm－3，透射率高于90%；当载流子浓度升高时，吸收边出现明显的Burstein-Moss蓝移效应．同时室温光致发光谱显示，紫外峰位随载流子浓度的增加而发生红移，峰形展宽，这和Ga高掺杂所引起的能带重整化效应有关．当Ga/Zn比达到6.3 at%时，由于高掺杂浓度下Ga的自补偿效应导致载流子浓度下降．