%0 Journal Article
%T MOCVD Growth and Properties of Ga-Doped ZnO Films<br>Ga掺杂ZnO薄膜的MOCVD生长及其特性
%A Zhu Shunming
%A Ye Jiandong
%A Gu Shulin
%A Liu Songmin
%A Zheng Youdou
%A Zhang Rong
%A Shi Yi
%A <br>朱顺明
%A 叶建东
%A 顾书林
%A 刘松民
%A 郑有炓
%A 张荣
%A 施毅
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 利用低压MOCVD技术在(0002)蓝宝石上外延获得高质量的ZnO∶Ga单晶薄膜，并研究了Ga的不同掺杂浓度对材料电学和光学特性的影响．当Ga/Zn气相摩尔比为3.2 at%时，ZnO(0002)峰半高宽仅为0.26°，载流子浓度高达2.47e19cm－3，透射率高于90%；当载流子浓度升高时，吸收边出现明显的Burstein-Moss蓝移效应．同时室温光致发光谱显示，紫外峰位随载流子浓度的增加而发生红移，峰形展宽，这和Ga高掺杂所引起的能带重整化效应有关．当Ga/Zn比达到6.3 at%时，由于高掺杂浓度下Ga的自补偿效应导致载流子浓度下降．
%K ZnO
%K doping
%K Burstein-Moss effect
%K bandgap renormalization
%K metal organic chemical vapor deposition<br>氧化锌
%K 掺杂
%K Burstein-Moss效应
%K 能带重整化
%K 金属有机化学气相外延
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E777BA01824CED87&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=5D311CA918CA9A03&sid=E30A3BF9610C35C9&eid=E7F877B2C3026178&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=5&reference_num=21