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ISSN: 2333-9721
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纳米级PtSi/Si(111)膜成形工艺与连续性研究

Keywords: 纳米级,硅化铂,硅,半导体薄膜技术

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Abstract:

研究了在（１１１）Ｓｉ衬底上沉积５ｎｍＰｔ膜经不同工艺成形后其反应产物及膜的连续性．结果表明高温短时间退火（６００℃、３ｍｉｎ）有利于形成连续的ＰｔＳｉ膜

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