%0 Journal Article
%T 纳米级PtSi/Si(111)膜成形工艺与连续性研究
%A 王培林
%A 盛文斌
%A 杨晶琦
%A 徐达鸣
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 研究了在（１１１）Ｓｉ衬底上沉积５ｎｍＰｔ膜经不同工艺成形后其反应产物及膜的连续性．结果表明高温短时间退火（６００℃、３ｍｉｎ）有利于形成连续的ＰｔＳｉ膜
%K 纳米级
%K 硅化铂
%K 硅
%K 半导体薄膜技术
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=75E92ED77D02EDB1&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=B31275AF3241DB2D&sid=3FC4D669D19FF0C6&eid=DCE57F652E4ADAFC&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=9