InAsPSb/InAs中红外光电探测器

本文报告了采用外延工艺研制的InAsPSb/InAs中红外(1—3.2μm)光电探测器.该器件为台面型结构,响应波长与氟化物光纤的低损耗窗口相匹配,在室温零偏压条件下峰值探测率达4×10~9cmHz~(1/2)/W,瞬态响应时间为1.2ns(FWHM).