%0 Journal Article
%T InAsPSb/InAs中红外光电探测器
%A 张永刚
%A 周平
%A 单宏坤
%A 潘慧珍
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 本文报告了采用外延工艺研制的InAsPSb/InAs中红外(1—3.2μm)光电探测器.该器件为台面型结构,响应波长与氟化物光纤的低损耗窗口相匹配,在室温零偏压条件下峰值探测率达4×10~9cmHz~(1/2)/W,瞬态响应时间为1.2ns(FWHM).
%K 光电探测器
%K InAsPSb／InAs
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C199B298230EE37B&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=F8AEC975DBDD7F2F&eid=3EABEBD973E45554&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1