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ISSN: 2333-9721
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用离子注入GaAs晶片实现闪光灯泵浦Nd:YAG激光器中的被动调Q(英文)

Keywords: 离子注入GaAs,被动调Q,闪光灯泵浦

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Abstract:

对半绝缘Ga As晶片进行As+ 注入,注入能量为4 0 0 ke V ,剂量为10 1 6 cm- 2 .用这种注入条件下的Ga As晶片作为吸收体和输出镜,在被动调Q闪光灯泵浦的Nd∶YAG激光器上获得了6 2 ns的单脉冲宽度.这是迄今为止国内最好的报道结果.

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