%0 Journal Article
%T 用离子注入GaAs晶片实现闪光灯泵浦Nd:YAG激光器中的被动调Q(英文)
%A 王勇刚
%A 李朝阳
%A 马骁宇
%A 张志刚
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 对半绝缘Ga As晶片进行As+ 注入,注入能量为4 0 0 ke V ,剂量为10 1 6 cm- 2 .用这种注入条件下的Ga As晶片作为吸收体和输出镜,在被动调Q闪光灯泵浦的Nd∶YAG激光器上获得了6 2 ns的单脉冲宽度.这是迄今为止国内最好的报道结果.
%K 离子注入GaAs
%K 被动调Q
%K 闪光灯泵浦
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=BB8B468CA246E284&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=0B39A22176CE99FB&sid=856C2E13D1000DB7&eid=70AC2EF7F2065E09&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1