6H-SiC肖特基源漏n沟MOSFET的数值-解析模型

分析了6 H- Si C肖特基源漏MOSFET的电流输运机制,并建立了数值-解析模型.模型正确地计入了隧道电流和势垒降低的影响,能准确反映器件的特性.模拟结果显示,源极肖特基的势垒高度是影响器件特性的主要因素,随着温度升高,器件的特性将变得更好.