%0 Journal Article
%T 6H-SiC肖特基源漏n沟MOSFET的数值-解析模型
%A 汤晓燕
%A 张义门
%A 张玉明
%A 郜锦侠
%A 陈锐标
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 分析了6 H- Si C肖特基源漏MOSFET的电流输运机制,并建立了数值-解析模型.模型正确地计入了隧道电流和势垒降低的影响,能准确反映器件的特性.模拟结果显示,源极肖特基的势垒高度是影响器件特性的主要因素,随着温度升高,器件的特性将变得更好.
%K 碳化硅
%K 肖特基势垒
%K MOSFET
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6397EAE8ED59C03C&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=545EC3172B3789BC&eid=4E3541241257D204&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=7