部分耗尽0.25μmSOI射频nMOSFET(英文)

结合多项用于深亚微米集成电路的新技术,提出了用于数GHz射频集成电路的SOI n MOSFET器件结构和制造工艺.经过半导体工艺模拟软件Tsuprem4仿真和优化,给出了主要的工艺步骤和详细的工艺条件.制作了0 .2 5 μm SOI射频n MOSFET器件,结构和工艺参数同仿真结果一致,测试获得了优良的或可接受的直流及射频性能