%0 Journal Article
%T 部分耗尽0.25μmSOI射频nMOSFET(英文)
%A 李俊峰
%A 杨荣
%A 赵玉印
%A 柴淑敏
%A 刘明
%A 徐秋霞
%A 钱鹤
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 结合多项用于深亚微米集成电路的新技术,提出了用于数GHz射频集成电路的SOI n MOSFET器件结构和制造工艺.经过半导体工艺模拟软件Tsuprem4仿真和优化,给出了主要的工艺步骤和详细的工艺条件.制作了0 .2 5 μm SOI射频n MOSFET器件,结构和工艺参数同仿真结果一致,测试获得了优良的或可接受的直流及射频性能
%K 结构
%K 工艺
%K 仿真
%K 实验
%K 射频
%K SOI
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=387116F0D0D9019A&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=29036368246435B2&eid=4CB3DBBCE4B39661&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=6