SiO_2上多晶GeSi再结晶性质的研究

本文发展了一种SiO2上多晶GeSi再结晶的方法，研究了其再结晶性质．由RRH／VLP－CVD系统在SiO2上生长的性能优良的多晶GeSi材料，经能量为180keV，剂量为2×1014cm-2的Si+离子注入非晶化处理后，形成具有一定损伤分布的非晶层．由此，我们系统研究了多晶GeSi非晶化后的再结晶性质，认为Ge在再结晶过程中可能起了的诱导晶化作用；首次观察到GeSi晶粒的纵向生长行为；得到的GeSi晶粒大于同样条件下得到的多晶Si晶粒．本项研究为多晶GeSi在高速TFT器件及其它高速器件中的应用奠定了基础，并为制备GeSi量子线结构提供了一条可能的途径．