%0 Journal Article
%T SiO_2上多晶GeSi再结晶性质的研究
%A 江宁
%A 顾书林
%A 余是东
%A 郑有炓
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 本文发展了一种SiO2上多晶GeSi再结晶的方法，研究了其再结晶性质．由RRH／VLP－CVD系统在SiO2上生长的性能优良的多晶GeSi材料，经能量为180keV，剂量为2×1014cm-2的Si+离子注入非晶化处理后，形成具有一定损伤分布的非晶层．由此，我们系统研究了多晶GeSi非晶化后的再结晶性质，认为Ge在再结晶过程中可能起了的诱导晶化作用；首次观察到GeSi晶粒的纵向生长行为；得到的GeSi晶粒大于同样条件下得到的多晶Si晶粒．本项研究为多晶GeSi在高速TFT器件及其它高速器件中的应用奠定了基础，并为制备GeSi量子线结构提供了一条可能的途径．
%K 二氧化硅
%K 硅化锗
%K 再结晶
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D213F85C704596FB&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=38B194292C032A66&sid=954CE65414DD94CA&eid=0584DB487B4581F4&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=4