质子辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱材料光学性质的影响

用固定能量为２０ｋｅＶ，剂量为１e１１～１e１３／ｃｍ２的质子和固定剂量为１e１１／ｃｍ２，能量为３０～１００ｋｅＶ的质子，对ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱材料进行辐照，得到了材料的光致发光特性随质子能量和剂量的变化关系，并进行了讨论．结果表明，质子辐照对材料的光学性质有破坏性的影响，这种影响是通过两种机制引起的．相同能量的质子辐照，随着辐照剂量的增大，对量子阱光致发光峰的破坏增大．相同剂量的质子辐照，当辐照质子的射程刚好覆盖整个量子阱结构区域时，对量子阱光致发光峰的破坏最严重，当辐照质子的射程超过量