%0 Journal Article
%T 质子辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱材料光学性质的影响
%A 黄万霞
%A 林理彬
%A 曾一平
%A 潘量
%J 半导体学报
%D 1999
%I 
%X 用固定能量为２０ｋｅＶ，剂量为１e１１～１e１３／ｃｍ２的质子和固定剂量为１e１１／ｃｍ２，能量为３０～１００ｋｅＶ的质子，对ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱材料进行辐照，得到了材料的光致发光特性随质子能量和剂量的变化关系，并进行了讨论．结果表明，质子辐照对材料的光学性质有破坏性的影响，这种影响是通过两种机制引起的．相同能量的质子辐照，随着辐照剂量的增大，对量子阱光致发光峰的破坏增大．相同剂量的质子辐照，当辐照质子的射程刚好覆盖整个量子阱结构区域时，对量子阱光致发光峰的破坏最严重，当辐照质子的射程超过量
%K 量子阱材料
%K 光学性质
%K 质子辐照
%K GaAs
%K AlGaAs
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=ADDC49FFBA27A396&yid=B914830F5B1D1078&vid=A04140E723CB732E&iid=708DD6B15D2464E8&sid=158793AD8125C377&eid=CFC2B32D03D9F610&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=14