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Keywords: 热载流子,简并效应,半导体器件
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本文通过把能量输运模型扩展到Fermi统计情形,用数值方法研究了简并效应对半导体器件的热载流子输运的影响.对窄基区BJT的模拟表明,当注入浓度很高时,载流子简并效应对热载流子输运的影响是不可忽略的
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