%0 Journal Article
%T 热载流子简并效应研究
%A 孔军
%A 杨之廉
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 本文通过把能量输运模型扩展到Ｆｅｒｍｉ统计情形，用数值方法研究了简并效应对半导体器件的热载流子输运的影响．对窄基区ＢＪＴ的模拟表明，当注入浓度很高时，载流子简并效应对热载流子输运的影响是不可忽略的
%K 热载流子
%K 简并效应
%K 半导体器件
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=62CCA2BEF9B8A539&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=708DD6B15D2464E8&sid=5EB19D41D7A73119&eid=138D3449C4A7D4E9&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=3