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半导体学报 2001
Structure Design Optimization of GAT Type Power Switching Transistors
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Abstract:
对 GAT (Gate Associated Transistor)型高速高压功率开关管提出了一些新的结构改进设想 ,包括两种新的平面版图设计以及改变栅区掺杂浓度 ,以解决其最大集电极电流远小于常规双极功率管这个关键问题 ,并对此进行了计算机仿真及试验研究 .仿真及试验结果都证明最大集电极电流得到大幅度提高
