%0 Journal Article
%T Structure Design Optimization of GAT Type Power Switching Transistors<br>高电流密度GAT型功率开关晶体管的结构设计优化
%A WANG Zhe
%A WU Yu
%A KANG Bao wei
%A CHENG Xu
%A <br>王哲
%A 吴郁
%A 亢宝位
%A 程序
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 对 GAT (Gate Associated Transistor)型高速高压功率开关管提出了一些新的结构改进设想 ,包括两种新的平面版图设计以及改变栅区掺杂浓度 ,以解决其最大集电极电流远小于常规双极功率管这个关键问题 ,并对此进行了计算机仿真及试验研究 .仿真及试验结果都证明最大集电极电流得到大幅度提高
%K gate associated transistor
%K current rating
%K layout
%K diffused surface concentration<br>栅辅助晶体管
%K 最大集电极电流
%K 版图
%K 扩散表面浓度
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=0CBDA3B99267B73D&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=708DD6B15D2464E8&sid=BEBB33B35AAF4DFE&eid=D4D26E96843E8F48&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=6