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半导体学报 1996
p-GaAs/n-GaAs MOCVD外延层少子扩散长度的液结光伏谱测量和分析Keywords: 砷化镓,MOCVD,外延层,少子扩散长度 Abstract: 用液结光伏谱方法首次在PN4350光伏谱仪上对用国产MOCVD设备生长的九个p-GaAs/n-GaAs外延样品p型外延层的少于扩散长度Ln和掺杂浓度NA的关系作了测量和分析.结果表明,Ln-NA关系对反应管的清洁度非常敏感.如果反应管经严格清洗,并仅生长GaAs材料,那么Ln-NA关系同前人报道的无沾污生长的样品基本一致;否则Ln值就明显偏小.用本方法测定GaAs外延层的Ln值具有简便、准确的优点,可作为检测GaAs外延层质量的重要手段.
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