%0 Journal Article
%T p－GaAs／n－GaAs MOCVD外延层少子扩散长度的液结光伏谱测量和分析
%A 陈朝
%A 王健华
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 用液结光伏谱方法首次在ＰＮ４３５０光伏谱仪上对用国产ＭＯＣＶＤ设备生长的九个ｐ－ＧａＡｓ／ｎ－ＧａＡｓ外延样品ｐ型外延层的少于扩散长度Ｌｎ和掺杂浓度ＮＡ的关系作了测量和分析．结果表明，Ｌｎ－ＮＡ关系对反应管的清洁度非常敏感．如果反应管经严格清洗，并仅生长ＧａＡｓ材料，那么Ｌｎ－ＮＡ关系同前人报道的无沾污生长的样品基本一致；否则Ｌｎ值就明显偏小．用本方法测定ＧａＡｓ外延层的Ｌｎ值具有简便、准确的优点，可作为检测ＧａＡｓ外延层质量的重要手段．
%K 砷化镓
%K MOCVD
%K 外延层
%K 少子扩散长度
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=0E49BEBA6968CDFE&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=38B194292C032A66&sid=AC1578C6BB9EBDEF&eid=64963996248CBF47&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3