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本文主要研究了制备参数和退火对a-C:H膜的光学性质的影响.得到了样品的吸收系数、光学带隙和带尾宽度等反映a-C:H膜电子能带结构的物理参数.结果表明,吸收系数随着衬底温度、射频偏压增加而上升,随反应室压强的升高而下降;光学带隙随衬底温度、射频偏压增加而下降,随反应室任强的升高而变宽随着退火温度Ta的升高,氢含量减少,带尾变宽,带隙变窄.
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