%0 Journal Article
%T 制备参数和退火对a－C∶H膜光学性质的影响
%A 陈光华
%A 卢阳华
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 本文主要研究了制备参数和退火对ａ－Ｃ：Ｈ膜的光学性质的影响．得到了样品的吸收系数、光学带隙和带尾宽度等反映ａ－Ｃ：Ｈ膜电子能带结构的物理参数．结果表明，吸收系数随着衬底温度、射频偏压增加而上升，随反应室压强的升高而下降；光学带隙随衬底温度、射频偏压增加而下降，随反应室任强的升高而变宽随着退火温度Ｔａ的升高，氢含量减少，带尾变宽，带隙变窄．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=1D888D39FE8FF5B4&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=708DD6B15D2464E8&sid=5EB19D41D7A73119&eid=0075485171F295AA&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0