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Keywords: 多量子阱,ASFP,半导体光电器件
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本文计算了不同折射率膜层下,非对称法布里珀罗腔模式波长随膜层厚度的变化.分析了在膜层折射率较低时,模式波长随层厚的增加反而减小的机理,并在实验中研究这种现象.利用湿法腐蚀的方法移动模式波长,补偿由生长误差引入的模式波长偏差,从而做到模式波长可控,获得高消光比的器件.同时利用湿法腐蚀方法将模式波长调整到不同位置,测量了不同模式波长位置时器件的调制特性
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