MOCVD GaInP材料本底浓度及其掺Zn时组分的控制

本文用ＭＯＣＶＤ法研究了ＧａＩｎＰ及其掺Ｚｎ材料的生长和特性，并进行了生长速率对生长动力学、Ｚｎ的掺杂效率、Ｉｎ的组分、表面形貌、电学性质的影响研究．