%0 Journal Article
%T MOCVD GaInP材料本底浓度及其掺Zn时组分的控制
%A 余庆选
%A 彭瑞伍
%A 励翠云
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 本文用ＭＯＣＶＤ法研究了ＧａＩｎＰ及其掺Ｚｎ材料的生长和特性，并进行了生长速率对生长动力学、Ｚｎ的掺杂效率、Ｉｎ的组分、表面形貌、电学性质的影响研究．
%K 掺杂
%K 锌
%K MOCVD
%K GaInP
%K 发光材料
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=0B2F04AA8E2C585B&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=4AD960B5AD2D111A&eid=6209D9E8050195F5&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0