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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
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Fabrication of Nanoelectronic Resonant Tunneling Diodes
纳电子器件谐振隧道二极管的研制
Liang Huilai, Zhao Zhenbo, Guo Weilian, Zhang Shilin, Niu Pingjuan, Yang Zhongyue, Hao Jingchen, Zhang Yuqian, Wang Wenjun, Wei Bihua, Zhou Junming, Wang Wenxin,
梁惠来, 赵振波, 郭维廉, 张世林, 牛萍娟, 杨中月, 郝景臣, 张豫黔, 王文君, 魏碧华, 周均铭, 王文新
Keywords: nanoelectronic devices,RTD,GaAs
纳电子器件,谐振隧道二极管,砷化镓
Abstract:
采用分子束外延方法在砷化镓衬底上生长了双垒单阱结构 ,然后用常规半导体器件工艺制成了谐振隧穿二极管 (RTD) ,有相当好的 I- V特性 .对于 5μm× 5μm的 RTD器件 ,在室温条件下 ,测得其峰谷比最大可到 7.6∶ 1,最高振荡频率大于 2 6 GHz Full-Text
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