%0 Journal Article
%T Fabrication of Nanoelectronic Resonant Tunneling Diodes<br>纳电子器件谐振隧道二极管的研制
%A Liang Huilai
%A Zhao Zhenbo
%A Guo Weilian
%A Zhang Shilin
%A Niu Pingjuan
%A Yang Zhongyue
%A Hao Jingchen
%A Zhang Yuqian
%A Wang Wenjun
%A Wei Bihua
%A Zhou Junming
%A Wang Wenxin
%A <br>梁惠来
%A 赵振波
%A 郭维廉
%A 张世林
%A 牛萍娟
%A 杨中月
%A 郝景臣
%A 张豫黔
%A 王文君
%A 魏碧华
%A 周均铭
%A 王文新
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 采用分子束外延方法在砷化镓衬底上生长了双垒单阱结构 ,然后用常规半导体器件工艺制成了谐振隧穿二极管 (RTD) ,有相当好的 I- V特性 .对于 5μm× 5μm的 RTD器件 ,在室温条件下 ,测得其峰谷比最大可到 7.6∶ 1,最高振荡频率大于 2 6 GHz
%K nanoelectronic devices
%K RTD
%K GaAs<br>纳电子器件
%K 谐振隧道二极管
%K 砷化镓
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E6B3440C3658A2F9&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=C753EB8AC8F551B9&eid=BB0EA31DB1B01173&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=8