Investigation On Thermal Stability of Ni(Zr)Si Thin Film and Electrical Characteristics of Its Schottky Barrier Diode
Ni(Zr)Si薄膜热稳定性及其肖特基势垒二极管的电学特性

提出在Ni中掺入夹层Zr的方法来提高NiSi的热稳定性．具有此结构的薄膜，600～800℃快速热退火后，薄层电阻保持较低值，小于2Ω/□．经XRD和Raman光谱分析表明，薄膜中只存在低阻NiSi相，而没有高阻NiSi2相生成．Ni(Zr)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上，比没有掺Zr的镍硅化物的转变温度上限提高了100℃．Ni(Zr)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650～800℃不同温度的快速热退火，肖特基接触特性良好，肖特基势垒高度为0.63eV，理想因子接近于1．