%0 Journal Article
%T Investigation On Thermal Stability of Ni(Zr)Si Thin Film and Electrical Characteristics of Its Schottky Barrier Diode<br>Ni(Zr)Si薄膜热稳定性及其肖特基势垒二极管的电学特性
%A Huang Wei
%A Lu Jianzheng
%A Zhang Lichun
%A Gao Yuzhi
%A Jin Haiyan
%A <br>黄伟
%A 卢建政
%A 张利春
%A 高玉芝
%A 金海岩
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 提出在Ni中掺入夹层Zr的方法来提高NiSi的热稳定性．具有此结构的薄膜，600～800℃快速热退火后，薄层电阻保持较低值，小于2Ω/□．经XRD和Raman光谱分析表明，薄膜中只存在低阻NiSi相，而没有高阻NiSi2相生成．Ni(Zr)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上，比没有掺Zr的镍硅化物的转变温度上限提高了100℃．Ni(Zr)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650～800℃不同温度的快速热退火，肖特基接触特性良好，肖特基势垒高度为0.63eV，理想因子接近于1．
%K Ni(Zr)Si
%K thermal stability
%K X-ray diffraction
%K Raman spectral analysis
%K Schottky barrier diode<br>Ni(Zr)Si
%K 热稳定性
%K X射线衍射
%K Raman光谱
%K 肖特基二极管
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9049246BF4798AAF&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=B31275AF3241DB2D&sid=839CF8520FE9DA44&eid=C80CAAD049B5B990&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=10