用于制备SOI材料的RF-ZMR技术研究

开发了一种新型的RF-ZMR技术,其主要特点是高频感应加热器的石墨板和双石墨条位于SOI 样品的同侧.这样可提高垂直于硅片表面方向的温度梯度,有利于防止背面熔化,并能采用较厚氧化隔离层.实验证明,采用热沉结构的样品经该系统再结晶处理,可以得到完美的无缺陷晶膜. 硅膜熔化后收球是目前进一步发展SOI-ZMR技术的一个技术难点,实验研究表明,简便的RTN技术能有效地抑制硅膜收球.