%0 Journal Article
%T 用于制备SOI材料的RF-ZMR技术研究
%A 张鹏飞
%A 钱佩信
%A 林惠旺
%A 柳连俊
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 开发了一种新型的RF-ZMR技术,其主要特点是高频感应加热器的石墨板和双石墨条位于SOI 样品的同侧.这样可提高垂直于硅片表面方向的温度梯度,有利于防止背面熔化,并能采用较厚氧化隔离层.实验证明,采用热沉结构的样品经该系统再结晶处理,可以得到完美的无缺陷晶膜. 硅膜熔化后收球是目前进一步发展SOI-ZMR技术的一个技术难点,实验研究表明,简便的RTN技术能有效地抑制硅膜收球.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E148D5C2BDE9BDED5437BCA2B1BC9CF3&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=708DD6B15D2464E8&sid=B28C697BC3A1BA62&eid=DA280A426E11FC95&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0