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半导体学报 1990
Current-Voltage and Capacitance Characteristics of Modulation-Doped Field Effect Transistors
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Abstract:
本文考虑了费米能级随栅电压的变化,得到调制掺杂场效应管的栅极与沟道的实际距离增大90A左右,从而引起栅极电容和跨导的明显减少;又用热电子模型推导了调制掺杂场效应管的伏-安特性,得到的结果为其它文献所证实。