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半导体学报 1996
宽禁带Ⅱ-Ⅵ族四元合金Zn_(1-x)Mg_xS_ySe_(1-y)成分的定量俄Abstract: 用分子束外延法在GaAs(100)衬底上生长了高质量的四元合金Zn(1-x)MgxSySe(1-y)薄膜.在对所生长的样品进行俄歇电子能谱、X射线衍射和喇曼散射研究后,提出了一种确定四元合金Zn(1-x)MgxSySe(1-y)组分的方法,即:利用ZnSySe(1-y)和化学配比的MgSe作为标准样品,通过X射线衍射和喇曼散射测得标准样品ZnSySe(1-y)中的S组分,再根据ZnSySe(1-y)和MgSe的俄歇谱图,对各元素的相对灵敏度因子进行修正,然后利用相对灵敏度因子法比较精确地走出四元合金Zn(
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