%0 Journal Article %T 宽禁带Ⅱ-Ⅵ族四元合金Zn_(1-x)Mg_xS_ySe_(1-y)成分的定量俄 %A 靳彩霞 %A 凌震 %A 诸长生 %A 俞根才 %A 王杰 %A 赵国珍 %J 半导体学报 %D 1996 %I %X 用分子束外延法在GaAs(100)衬底上生长了高质量的四元合金Zn(1-x)MgxSySe(1-y)薄膜.在对所生长的样品进行俄歇电子能谱、X射线衍射和喇曼散射研究后,提出了一种确定四元合金Zn(1-x)MgxSySe(1-y)组分的方法,即:利用ZnSySe(1-y)和化学配比的MgSe作为标准样品,通过X射线衍射和喇曼散射测得标准样品ZnSySe(1-y)中的S组分,再根据ZnSySe(1-y)和MgSe的俄歇谱图,对各元素的相对灵敏度因子进行修正,然后利用相对灵敏度因子法比较精确地走出四元合金Zn( %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=98535D02046A601E&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=6C62BFE34266FA92&eid=7C13E30F5EDBE7AB&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0